DME201010R

DME201010R Panasonic


DME20101_E-1142031.pdf Виробник: Panasonic
Bipolar Transistors - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 2073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DME201010R Panasonic

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: Mini5-G3-B.

Інші пропозиції DME201010R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DME201010R DME201010R Виробник : Panasonic Electronic Components XP01601_Schem.jpg Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
товар відсутній