на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 1.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2301L-13 Diodes Inc
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMG2301L-13 за ціною від 1.95 грн до 23.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG2301L-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2301L-13 | Виробник : Diodes Zetex |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2301L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V |
на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2301L-13 | Виробник : Diodes Zetex |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2301L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V |
на замовлення 196434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2301L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS |
на замовлення 19055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2301L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -1A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 5.5nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -10A кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMG2301L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -1A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 5.5nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -10A |
товар відсутній |