DMG2307LQ-7 Diodes Zetex
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2307LQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG2307LQ-7 за ціною від 3.29 грн до 24.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG2307LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2307LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2307LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V P-Ch Enhancement Mode |
на замовлення 5715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2307LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 170625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2307LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
DMG2307LQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMG2307LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.134Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -3.6A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 8.2nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMG2307LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.134Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -3.6A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 8.2nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A |
товар відсутній |