DMG3414U-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3414U-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMG3414U-7 за ціною від 6.14 грн до 31.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG3414U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG3414U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG3414U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 6227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG3414U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V |
на замовлення 354034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG3414U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG3414U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6227 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG3414U-7 | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG3414U-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM |
на замовлення 6964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG3414U-7 Код товару: 197913 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
DMG3414U-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |