Продукція > DIODES INC > DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 Diodes Inc

346dmg6601lvt.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6601LVT-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 850mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 850mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG6601LVT-7 за ціною від 3.24 грн до 29.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.79 грн
6000+ 4.73 грн
9000+ 4.24 грн
24000+ 4.04 грн
30000+ 3.62 грн
45000+ 3.3 грн
75000+ 3.27 грн
99000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.88 грн
6000+ 4.83 грн
9000+ 4.32 грн
24000+ 4.13 грн
30000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.15 грн
6000+ 5.1 грн
9000+ 4.56 грн
24000+ 4.35 грн
30000+ 3.9 грн
45000+ 3.56 грн
75000+ 3.52 грн
99000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.26 грн
6000+ 5.19 грн
9000+ 4.64 грн
24000+ 4.44 грн
30000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 954000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.89 грн
6000+ 5.55 грн
9000+ 4.91 грн
30000+ 4.55 грн
75000+ 3.87 грн
150000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INC. DIODS20273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.39 грн
102+ 7.61 грн
500+ 5.46 грн
1500+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INC. DIODS20273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+17.11 грн
63+ 12.39 грн
102+ 7.61 грн
500+ 5.46 грн
1500+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 46
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6601LVT-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+24.77 грн
25+ 14.67 грн
29+ 12.51 грн
50+ 8.7 грн
100+ 7.33 грн
156+ 5.39 грн
428+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 958004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.88 грн
16+ 18.26 грн
100+ 9.19 грн
500+ 7.65 грн
1000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+27.21 грн
39+ 15.41 грн
45+ 13.27 грн
100+ 7.07 грн
250+ 6.24 грн
500+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 22
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
на замовлення 376229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.42 грн
21+ 15.24 грн
100+ 6.35 грн
1000+ 5.24 грн
3000+ 4.69 грн
9000+ 4.49 грн
24000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6601LVT-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 970 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.73 грн
15+ 18.28 грн
18+ 15.01 грн
50+ 10.44 грн
100+ 8.8 грн
156+ 6.47 грн
428+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG6601LVT.pdf Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній