на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3779+ | 3.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6968U-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMG6968U-7 за ціною від 3.78 грн до 32.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V |
на замовлення 564000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG6968U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23 Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG6968U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23 Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V |
на замовлення 564747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
на замовлення 88396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG6968U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6968U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMG6968U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |