Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG9N65CT
DMG9N65CT

DMG9N65CT Diodes Incorporated

DMG9N65CT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.77 грн
10+ 76.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG9N65CT Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 165W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMG9N65CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG9N65CT DMG9N65CT Виробник : Diodes Incorporated DMG9N65CT-219388.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMG9N65CT DMG9N65CT Виробник : Diodes Inc 818dmg9n65ct.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
DMG9N65CT DMG9N65CT Виробник : Diodes Incorporated DMG9N65CT.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
товар відсутній