на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2053UVT-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26.
Інші пропозиції DMN2053UVT-7 за ціною від 4.6 грн до 26.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2053UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 |
на замовлення 399000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2053UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 |
на замовлення 402690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2053UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2053UVT-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2053UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMN2053UVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 22A; 1.1W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 1.1W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMN2053UVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 22A; 1.1W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 1.1W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |