DMN2991UFZ-7B Diodes Incorporated
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2991UFZ-7B Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 440mA; Idm: 1.5A; 530mW, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.44A, On-state resistance: 2.4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.53W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.35nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 1.5A, Mounting: SMD, Case: X2-DFN0606-3, кількість в упаковці: 10000 шт.
Інші пропозиції DMN2991UFZ-7B за ціною від 3.27 грн до 29.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2991UFZ-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-3 T&R 10K |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2991UFZ-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN |
на замовлення 699960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2991UFZ-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.55A 3-Pin X2DFN |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2991UFZ-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 440mA; Idm: 1.5A; 530mW Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.44A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Case: X2-DFN0606-3 кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN2991UFZ-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 440mA; Idm: 1.5A; 530mW Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.44A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Case: X2-DFN0606-3 |
товар відсутній |