DMN3028LQ-7

DMN3028LQ-7 Diodes Incorporated


DMN3028LQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 900000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.01 грн
6000+ 9.15 грн
9000+ 8.49 грн
30000+ 7.79 грн
75000+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3028LQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN3028LQ-7 за ціною від 8.3 грн до 32.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN3028LQ-7 DMN3028LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3028LQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 907338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.46 грн
12+ 24.43 грн
100+ 16.99 грн
500+ 12.45 грн
1000+ 10.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN3028LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994337_1-2543795.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.47 грн
12+ 27.42 грн
100+ 16.61 грн
500+ 12.95 грн
1000+ 10.56 грн
3000+ 8.9 грн
9000+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN3028LQ-7 Виробник : Diodes Inc dmn3028lq.pdf MOSFET BVDSS: 25V30V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMN3028LQ-7 DMN3028LQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3028LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 40A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10.9nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN3028LQ-7 DMN3028LQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3028LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 40A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10.9nC
Polarisation: unipolar
товар відсутній