на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.5 грн |
| 20000+ | 3.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3190LDW-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції DMN3190LDW-13 за ціною від 3.01 грн до 31.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 405551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss |
на замовлення 19161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMN3190LDW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 9.6A; 400mW; SOT363 Mounting: SMD Case: SOT363 Power dissipation: 0.4W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 9.6A Drain-source voltage: 30V Drain current: 1A On-state resistance: 335mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMN3190LDW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 9.6A; 400mW; SOT363 Mounting: SMD Case: SOT363 Power dissipation: 0.4W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 9.6A Drain-source voltage: 30V Drain current: 1A On-state resistance: 335mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |