DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 7.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150mA; Idm: 0.5A; 393mW, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 4.5Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 393mW, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.35nC, Case: X2-DFN0606-3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 0.5A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.15A, кількість в упаковці: 10000 шт.
Інші пропозиції DMN31D5UFZ-7B за ціною від 5.61 грн до 29.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN31D5UFZ-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFET 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W |
на замовлення 18035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN31D5UFZ-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN |
на замовлення 474169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN31D5UFZ-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.22A 3-Pin X2-DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150mA; Idm: 0.5A; 393mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 4.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 393mW Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Case: X2-DFN0606-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 0.5A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.15A кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN31D5UFZ-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150mA; Idm: 0.5A; 393mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 4.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 393mW Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Case: X2-DFN0606-3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 0.5A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.15A |
товар відсутній |