DMN6140LQ-7
  • DMN6140LQ-7
  • DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7 DIODES INCORPORATED


DMN6140LQ.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+12.3 грн
45+ 8.03 грн
100+ 7.06 грн
135+ 5.81 грн
375+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 35
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6140LQ-7 DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - DMN6140LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 700mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm.

Інші пропозиції DMN6140LQ-7 за ціною від 4.6 грн до 30.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN6140LQ-7
+1
DMN6140LQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6140LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.75 грн
30+ 10 грн
100+ 8.47 грн
135+ 6.97 грн
375+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : Diodes Inc 1052dmn6140lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn6140lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.95 грн
9000+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6140LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.55 грн
6000+ 6.04 грн
9000+ 5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn6140lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn6140lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814412.pdf Description: DIODES INC. - DMN6140LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 700mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.83 грн
500+ 10.31 грн
1000+ 7.22 грн
5000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn6140lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
586+19.88 грн
1026+ 11.35 грн
1039+ 11.21 грн
1050+ 10.7 грн
2014+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 586
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6140LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
на замовлення 17690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.43 грн
16+ 18.13 грн
100+ 10.88 грн
500+ 9.45 грн
1000+ 6.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn6140lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+25.58 грн
29+ 20.55 грн
32+ 18.46 грн
100+ 10.16 грн
250+ 9.29 грн
500+ 8.83 грн
1000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6140LQ.pdf MOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
на замовлення 297351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.66 грн
16+ 20.32 грн
100+ 9.43 грн
1000+ 6.71 грн
3000+ 5.85 грн
9000+ 5.65 грн
24000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : DIODES INC. 2814412.pdf Description: DIODES INC. - DMN6140LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.48 грн
31+ 24.52 грн
100+ 14.83 грн
500+ 10.31 грн
1000+ 7.22 грн
5000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN6140LQ-7 DMN6140LQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn6140lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній