DMP2110UW-7

DMP2110UW-7 Diodes Incorporated


DMP2110UW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
на замовлення 390000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.3 грн
6000+ 4.88 грн
9000+ 4.22 грн
30000+ 3.89 грн
75000+ 3.22 грн
150000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2110UW-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMP2110UW-7 за ціною від 3.83 грн до 37.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013315951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.08 грн
500+ 8.67 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2110UW.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
на замовлення 393971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.01 грн
14+ 19.82 грн
100+ 10.02 грн
500+ 7.67 грн
1000+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012956511_1-2543989.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 8994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.29 грн
14+ 22.03 грн
100+ 7.93 грн
1000+ 5.88 грн
3000+ 4.69 грн
9000+ 4.03 грн
24000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013315951-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.79 грн
27+ 27.79 грн
100+ 14.08 грн
500+ 8.67 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : Diodes Inc dmp2110uw.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2110UW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -15A; 650mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 0.65W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMP2110UW-7 DMP2110UW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2110UW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -15A; 650mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 0.65W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній