DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34 грн |
| 5000+ | 31.18 грн |
| 12500+ | 29.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMT10H010LK3-13 за ціною від 29.68 грн до 87.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT10H010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V |
на замовлення 126454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V |
на замовлення 39311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H010LK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMT10H010LK3-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMT10H010LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 275A; 3W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 3W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 275A; 3W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 3W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |