DMT6009LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.93 грн |
| 5000+ | 25.61 грн |
| 12500+ | 24.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6009LSS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6009LSS-13 за ціною від 24.22 грн до 72.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6009LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6009LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6009LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V |
на замовлення 26135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6009LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs |
на замовлення 4715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6009LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMT6009LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMT6009LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMT6009LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMT6009LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |