DMTH4M70SPGWQ-13

DMTH4M70SPGWQ-13 Diodes Incorporated


DMTH4M70SPGWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10053 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+119.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4M70SPGWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 428W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI8080-5, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10053 pF @ 20 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH4M70SPGWQ-13 за ціною від 114.41 грн до 261.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH4M70SPGWQ-13 DMTH4M70SPGWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10053 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.02 грн
10+ 197.96 грн
100+ 160.18 грн
500+ 133.62 грн
1000+ 114.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMTH4M70SPGWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ-3043370.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.94 грн
10+ 216.95 грн
25+ 178.02 грн
100+ 152.78 грн
250+ 144.14 грн
500+ 135.51 грн
1000+ 116.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMTH4M70SPGWQ-13 Виробник : Diodes Inc dmth4m70spgwq.pdf MOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI8080-5 T&R 2K
товар відсутній