DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.26 грн |
| 10+ | 68.65 грн |
| 100+ | 46.51 грн |
| 500+ | 39.62 грн |
| 1000+ | 32.27 грн |
| 2500+ | 28.56 грн |
| 5000+ | 28.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 130A; 3.1W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 11.9A, Pulsed drain current: 130A, Power dissipation: 3.1W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 41.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMTH6010LK3-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 |
на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMTH6010LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 130A; 3.1W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.9A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 3.1W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
|
|
DMTH6010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 |
товар відсутній |
|
| DMTH6010LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 130A; 3.1W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.9A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 3.1W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |