DMTH6016LK3-13

DMTH6016LK3-13 Diodes Incorporated


DMTH6016LK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6016LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH6016LK3-13 за ціною від 9.97 грн до 36.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH6016LK3-13 DMTH6016LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6016LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 46.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.87 грн
11+ 27.04 грн
100+ 18.82 грн
500+ 13.79 грн
1000+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMTH6016LK3-13 DMTH6016LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005424587_1-2542634.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 8226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.14 грн
11+ 30.08 грн
100+ 19.55 грн
500+ 15.39 грн
1000+ 11.82 грн
2500+ 10.83 грн
10000+ 9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMTH6016LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6016LK3.pdf Транз. Пол. БММ N-MOSFET TO252(DPAK) Udss=60V; Id=46A; Rds=0,017 Ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.22 грн
10+ 31.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMTH6016LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6016LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 70A; 3.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 3.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMTH6016LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6016LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 70A; 3.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 3.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній