DMTH8012LK3Q-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 54.81 грн |
| 500+ | 47.66 грн |
| 1000+ | 41.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH8012LK3Q-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMTH8012LK3Q-13 за ціною від 28.78 грн до 71.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH8012LK3Q-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A |
на замовлення 11756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH8012LK3Q-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET NCH 80V 50A TO252 |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET NCH 80V 50A TO252 |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DMTH8012LK3Q-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMTH8012LK3Q-13 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET NCH 80V 50A TO252 |
товар відсутній |