DNA30E2200FE IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Power dissipation: 110W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: high voltage
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward voltage: 1.22V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 370A
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Power dissipation: 110W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: high voltage
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward voltage: 1.22V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 370A
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 578.27 грн |
3+ | 385.12 грн |
6+ | 364.42 грн |
10+ | 363.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DNA30E2200FE IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-2, IPAK, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: i4-PAC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V.
Інші пропозиції DNA30E2200FE за ціною від 316.71 грн до 693.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DNA30E2200FE | Виробник : IXYS | Rectifiers High Voltage Std Rectifier Sngl Diode |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DNA30E2200FE | Виробник : IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V Power dissipation: 110W Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: high voltage Mounting: THT Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e Max. off-state voltage: 2.2kV Max. forward voltage: 1.22V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 370A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DNA30E2200FE | Виробник : IXYS |
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC Packaging: Tube Package / Case: TO-251-2, IPAK Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: i4-PAC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DNA30E2200FE | Виробник : Littelfuse | Rectifier Diode 2.2KV 30A 2-Pin i4-PAC Tube |
товар відсутній |