DS1230Y-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2209.14 грн |
12+ | 2000.64 грн |
36+ | 1931.21 грн |
60+ | 1755.06 грн |
108+ | 1544.95 грн |
252+ | 1503.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Zugriffszeit: 70ns, usEccn: EAR99, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1230Y-70IND+ за ціною від 1448.21 грн до 2243.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DS1230Y-70IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zugriffszeit: 70ns usEccn: EAR99 Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DS1230Y-70IND | Виробник : DALLAS | DIP |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1230Y-70IND | Виробник : DALLAS | DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1230Y-70IND | Виробник : MAX | ; |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1230Y-70IND+ | Виробник : Maxim | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-70IND+ | Виробник : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-70IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-70IND | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |