DS1250W-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5361.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1250W-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1250W-100+ за ціною від 5309.18 грн до 7348.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DS1250W-100+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DS1250W-100+ | Виробник : Maxim Integrated |
NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DS1250W-100 | Виробник : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| DS1250W-100+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 32-Pin EDIP |
товар відсутній |
||||||||||||||
| DS1250W-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 32-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
| DS1250W-100+ | Виробник : Maxim |
MOD/CIVIL/3.3V 4096K NONVOLATILE SRAM DS1250 кількість в упаковці: 11 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
DS1250W-100 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |