Продукція > MAXIM INTEGRATED > DS1250W-150+
DS1250W-150+

DS1250W-150+ Maxim Integrated

DS1250W-1512636.pdf Виробник: Maxim Integrated
NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1250W-150+ Maxim Integrated

Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 150ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 150 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції DS1250W-150+

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DS1250W-150 Виробник : DALLAS DS1250W.pdf 0246
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DS1250W-150 Виробник : DALLAS DS1250W.pdf 05+ DIP
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DS1250W-150 Виробник : DALLAS DS1250W.pdf DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DS1250W-150+ Виробник : Maxim ds1250w.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 32-Pin EDIP
товар відсутній
DS1250W-150 DS1250W-150 Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1250W.pdf Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DS1250W-150+ DS1250W-150+ Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1250W.pdf Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній