Продукція > DIODES INCORPORATED > DSC10A065D1-13
DSC10A065D1-13

DSC10A065D1-13 Diodes Incorporated

DSC10A065D1-3103762.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Rectifier TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.32 грн
10+ 179.52 грн
100+ 124.22 грн
500+ 104.95 грн
1000+ 89.67 грн
2500+ 83.03 грн
5000+ 80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSC10A065D1-13 Diodes Incorporated

Description: SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 434pF @ 100mV, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-252 (Type WX), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V.

Інші пропозиції DSC10A065D1-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DSC10A065D1-13 DSC10A065D1-13 Виробник : Diodes Incorporated Description: SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 434pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товар відсутній
DSC10A065D1-13 DSC10A065D1-13 Виробник : Diodes Incorporated Description: SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 434pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товар відсутній