на замовлення 60 шт:
термін постачання 506-515 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 735.1 грн |
| 10+ | 621.43 грн |
| 30+ | 489.99 грн |
| 120+ | 449.97 грн |
| 270+ | 434.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSEP60-12B IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 600V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 60A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.25 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції DSEP60-12B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "DSEP60-12B") |
DSEP60-12B | Виробник : IXYS |
 Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 600V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.25 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
товар відсутній |