DSS2515M-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 5.86 грн |
30000+ | 5.57 грн |
50000+ | 4.74 грн |
100000+ | 4.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSS2515M-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 90, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DSS2515M-7B за ціною від 4.73 грн до 38.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DSS2515M-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 913002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K |
на замовлення 14104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DSS2515M-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 90 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |