DSS2540M-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.5A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSS2540M-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DSS2540M-7B за ціною від 4.06 грн до 33.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DSS2540M-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K |
на замовлення 58712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.5A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 288824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |