Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTC114EET1G
DTC114EET1G

DTC114EET1G ON Semiconductor

dtc114e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.05 грн
6000+ 1.03 грн
24000+ 0.98 грн
30000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC114EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Інші пропозиції DTC114EET1G за ціною від 0.83 грн до 11.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.11 грн
6000+ 1.1 грн
9000+ 1.08 грн
24000+ 1.04 грн
30000+ 0.87 грн
45000+ 0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10345+1.13 грн
10490+ 1.11 грн
10564+ 1.1 грн
24000+ 1.05 грн
30000+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 10345
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9804+1.19 грн
9869+ 1.18 грн
10000+ 1.17 грн
24000+ 1.12 грн
30000+ 0.94 грн
45000+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 9804
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.8 грн
6000+ 1.64 грн
9000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 28334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.4 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2/0.3W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+3.5 грн
200+ 1.75 грн
500+ 1.54 грн
625+ 1.33 грн
1675+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 125
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2/0.3W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+4.2 грн
125+ 2.18 грн
500+ 1.85 грн
625+ 1.6 грн
1675+ 1.51 грн
12000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 75
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 239997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+10.1 грн
44+ 6.97 грн
100+ 3.86 грн
1000+ 1.66 грн
2500+ 1.47 грн
10000+ 1.13 грн
30000+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 31
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 19727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.81 грн
40+ 7.08 грн
100+ 3.84 грн
500+ 2.83 грн
1000+ 1.97 грн
Мінімальне замовлення: 27
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 28334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
68+11.13 грн
97+ 7.77 грн
200+ 3.74 грн
500+ 3.4 грн
Мінімальне замовлення: 68
DTC114EET1G Виробник : ONS dtc114e-d.pdf Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k) ММ NPN EMT3 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30
на замовлення 6117 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
157+1.78 грн
179+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 157
DTC114EET1G DTC114EET1G Виробник : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній