DTC123EMFHAT2L ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorDigital Transistors Digital transistor (100mA-50V), Built-in bias resistor, NPN, 3-Pin
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.4 грн |
| 21+ | 14.55 грн |
| 100+ | 7.88 грн |
| 1000+ | 5.04 грн |
| 2500+ | 4.11 грн |
| 8000+ | 3.91 грн |
| 24000+ | 3.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123EMFHAT2L ROHM Semiconductor
Description: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.
Інші пропозиції DTC123EMFHAT2L за ціною від 9.48 грн до 10.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTC123EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| DTC123EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 6014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
DTC123EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
DTC123EMFHAT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
товар відсутній |