DTC123YKAT146 Rohm Semiconductor
на замовлення 17899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7178+ | 1.65 грн |
| 7426+ | 1.6 грн |
| 7500+ | 1.58 грн |
| 7576+ | 1.51 грн |
| 12000+ | 1.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123YKAT146 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTC123YKAT146 за ціною від 1.05 грн до 18.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC123YKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 17799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC123YKAT146 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123YKAT146 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC123YKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 5092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC123YKAT146 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN 50V 100MA |
на замовлення 4124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123YKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 1321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DTC123YKA T146 | Виробник : ROHM | SOT23/SOT323 |
на замовлення 8464 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
DTC123YKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товар відсутній |