DTC143XE3HZGTL

DTC143XE3HZGTL Rohm Semiconductor


dtc143xe3hzgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1068+10.96 грн
1104+ 10.6 грн
2500+ 10.29 грн
5000+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 1068
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143XE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC143XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції DTC143XE3HZGTL за ціною від 3.54 грн до 33.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC143XE3HZGTL DTC143XE3HZGTL Виробник : ROHM 3775571.pdf Description: ROHM - DTC143XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.21 грн
500+ 8.55 грн
1000+ 5.33 грн
3000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTC143XE3HZGTL DTC143XE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143XE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
15+ 18.57 грн
100+ 9.36 грн
500+ 7.17 грн
1000+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTC143XE3HZGTL DTC143XE3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC143XE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.45 грн
14+ 21.96 грн
100+ 10.82 грн
1000+ 5.54 грн
3000+ 4.74 грн
9000+ 3.81 грн
24000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTC143XE3HZGTL DTC143XE3HZGTL Виробник : ROHM 3775571.pdf Description: ROHM - DTC143XE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+33.55 грн
32+ 24.12 грн
100+ 12.21 грн
500+ 8.55 грн
1000+ 5.33 грн
3000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 23
DTC143XE3HZGTL DTC143XE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143xe3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTC143XE3HZGTL DTC143XE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143XE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній