DTC143XMT2L ROHM SEMICONDUCTOR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
140+ | 2.5 грн |
400+ | 2.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC143XMT2L ROHM SEMICONDUCTOR
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції DTC143XMT2L за ціною від 2.29 грн до 26.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTC143XMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC143XMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC143XMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC143XMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC143XMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 10872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC143XMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 23338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC143XMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor | Digital Transistors DGTL NPN 50V 100MA |
на замовлення 6374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC143XMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DTC143XMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 5185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |