DTC143ZET1G ON Semiconductor
на замовлення 477000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC143ZET1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.
Інші пропозиції DTC143ZET1G за ціною від 0.88 грн до 12.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 477000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 477000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SC75 Power dissipation: 0.2W Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...200 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SC75 Power dissipation: 0.2W Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...200 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 33458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 33458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 53187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 82227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
на замовлення 25110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор цифровий; Тип стр. = NPN; Ic = 0,1; ft, МГц = 250; hFE = 80 @ 10mA, 5V; R1, кОм = 4,7; R2, кОм = 47; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25; Uсe, B = 50; Опис Транзистор цифровий; Р, Вт = 0.2; Тексп, °C = -55...+150; SC-75 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
DTC143ZET1G Код товару: 189553 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|