DXT751-13 Diodes Zetex
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 9.78 грн |
| 50000+ | 9.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXT751-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DXT751-13 за ціною від 8.62 грн до 42.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DXT751-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DXT751-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DXT751-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DXT751-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DXT751-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DXT751-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP |
на замовлення 7432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DXT751-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DXT751-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DXT751-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |