DXTP3C100PSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 13.84 грн |
5000+ | 12.65 грн |
12500+ | 11.74 грн |
25000+ | 10.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXTP3C100PSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DXTP3C100PSQ-13 за ціною від 12.36 грн до 49.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DXTP3C100PSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DXTP3C100PSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 5 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 64770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DXTP3C100PSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DXTP3C100PSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DXTP3C100PSQ-13 | Виробник : Diodes Inc | Pwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DXTP3C100PSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 5W; PowerDI®5060-8 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 5W Case: PowerDI®5060-8 Pulsed collector current: 8A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DXTP3C100PSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 5W; PowerDI®5060-8 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 5W Case: PowerDI®5060-8 Pulsed collector current: 8A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz |
товар відсутній |