ECH8695R-TL-W ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 33.75 грн |
| 500+ | 25.74 грн |
| 1000+ | 19.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8695R-TL-W ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 24V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ECH8695R-TL-W за ціною від 18.15 грн до 60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ECH8695R-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8 Mounting: SMD Application: charging control Case: ECH8 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12.5V Pulsed drain current: 60A Semiconductor structure: common drain Drain-source voltage: 24V Drain current: 11A On-state resistance: 9.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ECH8695R-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8 Mounting: SMD Application: charging control Case: ECH8 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12.5V Pulsed drain current: 60A Semiconductor structure: common drain Drain-source voltage: 24V Drain current: 11A On-state resistance: 9.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2216 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ECH8695R-TL-W | Виробник : onsemi |
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES |
на замовлення 23889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ECH8695R-TL-W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Part Status: Active |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ECH8695R-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 24V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ECH8695R-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 24V 11A 8-Pin SOT-28FL T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ECH8695R-TL-W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Part Status: Active |
товар відсутній |