EESX1109

EESX1109 Omron


330400031121087en-ee_sx1109.pdf Виробник: Omron
Photo micro sensor interrupters
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EESX1109 Omron

Description: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Sensing Distance: 0.118" (3mm), Sensing Method: Through-Beam, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -30°C ~ 85°C, Output Configuration: Phototransistor, Response Time: 10µs, 10µs, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA.

Інші пропозиції EESX1109

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EESX1109 EESX1109 Виробник : Omron 330400031121087en-ee_sx1109.pdf Photo micro sensor interrupters
товар відсутній
EE-SX1109 EE-SX1109 Виробник : Omron Electronics Inc-EMC Div en-ee_sx1109.pdf Description: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Sensing Method: Through-Beam
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Phototransistor
Response Time: 10µs, 10µs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товар відсутній
EE-SX1109 EE-SX1109 Виробник : Omron Electronics Inc-EMC Div en-ee_sx1109.pdf Description: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Sensing Method: Through-Beam
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Phototransistor
Response Time: 10µs, 10µs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товар відсутній
EE-SX1109 EE-SX1109 Виробник : Omron Electronics en-ee_sx1109-1128130.pdf Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output TRANSMISSIVE
товар відсутній