EGP30G-E3/73 Vishay Semiconductors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGP30G-E3/73 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A GP20, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: GP20, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.
Інші пропозиції EGP30G-E3/73
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
EGP30G-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 400V 3A GP20Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товар відсутній |