ES3AHE3_A/H Vishay General Semiconductor
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.45 грн |
| 10+ | 43.16 грн |
| 100+ | 26.04 грн |
| 500+ | 15.94 грн |
| 850+ | 14.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES3AHE3_A/H Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ES3AHE3_A/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ES3AHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |