Продукція > VISHAY > ESH2D-E3/52T
ESH2D-E3/52T

ESH2D-E3/52T Vishay


esh2b.pdf Виробник: Vishay
Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMB T/R
на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+10.9 грн
Мінімальне замовлення: 750
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ESH2D-E3/52T Vishay

Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 55ns; SMB; Ufmax: 0.93V; Ifsm: 60A, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 200V, Load current: 2A, Reverse recovery time: 55ns, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Capacitance: 30pF, Case: SMB, Max. forward voltage: 0.93V, Max. forward impulse current: 60A, Leakage current: 50µA, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції ESH2D-E3/52T за ціною від 12.8 грн до 28.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ESH2D-E3/52T ESH2D-E3/52T Виробник : Vishay esh2b.pdf Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMB T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4500+12.8 грн
Мінімальне замовлення: 4500
ESH2D-E3/52T ESH2D-E3/52T Виробник : Vishay esh2b.pdf Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMB T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
905+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 905
ESH2D-E3/52T ESH2D-E3/52T Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh2b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 750
ESH2D-E3/52T ESH2D-E3/52T Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh2b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.16 грн
13+ 23.09 грн
100+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
ESH2D-E3/52T ESH2D-E3/52T Виробник : Vishay Semiconductors esh2b-240396.pdf Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
ESH2D-E3/52T ESH2D-E3/52T Виробник : Vishay esh2b.pdf Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMB T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ESH2D-E3/52T ESH2D-E3/52T Виробник : Vishay esh2b.pdf Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMB T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ESH2D-E3/52T Виробник : VISHAY esh2b.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 55ns; SMB; Ufmax: 0.93V; Ifsm: 60A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 55ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Capacitance: 30pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ESH2D-E3/52T Виробник : VISHAY esh2b.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 55ns; SMB; Ufmax: 0.93V; Ifsm: 60A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 55ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Capacitance: 30pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
товар відсутній