FCA47N60 ON Semiconductor
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 390+ | 485.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCA47N60 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCA47N60 за ціною від 447.73 грн до 740.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCA47N60 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 8951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FCA47N60 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 8951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FCA47N60 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FCA47N60 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCA47N60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCA47N60 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 650V SUPER FET |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCA47N60 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FCA47N60 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FCA47N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29.7A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 417W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FCA47N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29.7A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 417W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |