Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCD4N60TM
FCD4N60TM

FCD4N60TM ON Semiconductor

3905510950678826fcd4n60.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.47 грн
5000+ 45.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD4N60TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

Інші пропозиції FCD4N60TM за ціною від 42.75 грн до 104.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.73 грн
5000+ 45.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.99 грн
5000+ 43.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584408-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 15215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+60.51 грн
500+ 52.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : onsemi / Fairchild FCD4N60_D-2311580.pdf MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.68 грн
10+ 70.61 грн
100+ 54.14 грн
250+ 54.01 грн
500+ 48.55 грн
1000+ 44.48 грн
2500+ 42.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584408-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD4N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 15215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.63 грн
10+ 76.2 грн
100+ 60.51 грн
500+ 52.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.45 грн
10+ 83.31 грн
100+ 66.35 грн
500+ 52.68 грн
1000+ 44.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FCD4N60TM FCD4N60TM Виробник : ON Semiconductor 3905510950678826fcd4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FCD4N60TM Виробник : ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCD4N60TM Виробник : ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній