Продукція > ONSEMI > FCD850N80Z
FCD850N80Z

FCD850N80Z onsemi

fcu850n80z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+71.11 грн
5000+ 65.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCD850N80Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCD850N80Z за ціною від 67.65 грн до 172.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCD850N80Z FCD850N80Z Виробник : onsemi fcu850n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 20910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.08 грн
10+ 126.14 грн
100+ 100.41 грн
500+ 79.73 грн
1000+ 67.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCD850N80Z FCD850N80Z Виробник : onsemi / Fairchild FCU850N80Z_D-2311892.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 10731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.82 грн
10+ 141.32 грн
100+ 98.31 грн
250+ 90.34 грн
500+ 82.37 грн
1000+ 71.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCD850N80Z Виробник : ON Semiconductor fcu850n80z-d.pdf
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)