Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FCH023N65S3L4
FCH023N65S3L4

FCH023N65S3L4 onsemi / Fairchild

FCH023N65S3L4_D-2312012.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1633.1 грн
10+ 1458.13 грн
25+ 1084.81 грн
50+ 1080.15 грн
100+ 1046.85 грн
250+ 1038.86 грн
450+ 933.64 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH023N65S3L4 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCH023N65S3L4 за ціною від 1047.35 грн до 1059.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCH023N65S3L4 Виробник : ONSEMI 2859339.pdf Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1059.31 грн
5+ 1047.35 грн
FCH023N65S3L4 Виробник : ON Semiconductor fch023n65s3l4-d.pdf
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH023N65S3L4 FCH023N65S3L4 Виробник : ON Semiconductor fch023n65s3l4-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3L4 FCH023N65S3L4 Виробник : ON Semiconductor fch023n65s3l4-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3L4 FCH023N65S3L4 Виробник : ON Semiconductor fch023n65s3l4-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH023N65S3L4 Виробник : ONSEMI fch023n65s3l4-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 65.8A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH023N65S3L4 FCH023N65S3L4 Виробник : onsemi fch023n65s3l4-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7160 pF @ 400 V
товар відсутній
FCH023N65S3L4 Виробник : ONSEMI fch023n65s3l4-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 65.8A; Idm: 300A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 65.8A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній