на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1529.72 грн |
| 10+ | 1368.91 грн |
| 25+ | 1142.95 грн |
| 50+ | 1104.9 грн |
| 100+ | 1068.85 грн |
| 450+ | 907.95 грн |
| 2700+ | 901.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH029N65S3-F155 onsemi
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 463W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCH029N65S3-F155 за ціною від 1147.78 грн до 1676.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCH029N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 463W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 201nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
FCH029N65S3-F155 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 463W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 7mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 201 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| FCH029N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 463W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 201nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |