FCH041N65EFL4

FCH041N65EFL4 ON Semiconductor


fch041n65efl4-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+585.21 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCH041N65EFL4 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCH041N65EFL4 за ціною від 567.47 грн до 1031.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCH041N65EFL4 FCH041N65EFL4 Виробник : onsemi fch041n65efl4-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12560 pF @ 100 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1008.88 грн
30+ 786.42 грн
120+ 740.15 грн
FCH041N65EFL4 FCH041N65EFL4 Виробник : onsemi / Fairchild FCH041N65EFL4_D-2311708.pdf MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1031.24 грн
25+ 862.19 грн
100+ 705.67 грн
450+ 612.87 грн
900+ 573.48 грн
2700+ 567.47 грн
FCH041N65EFL4 FCH041N65EFL4 Виробник : ON Semiconductor fch041n65efl4-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCH041N65EFL4 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584725-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCH041N65EFL4 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+1026.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
FCH041N65EFL4 FCH041N65EFL4 Виробник : ON Semiconductor fch041n65efl4-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EFL4 Виробник : ONSEMI fch041n65efl4-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH041N65EFL4 FCH041N65EFL4 Виробник : ON Semiconductor fch041n65efl4-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EFL4 FCH041N65EFL4 Виробник : ON Semiconductor fch041n65efl4-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EFL4 FCH041N65EFL4 Виробник : ON Semiconductor fch041n65efl4-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FCH041N65EFL4 Виробник : ONSEMI fch041n65efl4-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 277nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній