FCHD040N65S3-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 810.52 грн |
| 30+ | 632.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCHD040N65S3-F155 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCHD040N65S3-F155 за ціною від 474.94 грн до 880.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCHD040N65S3-F155 | Виробник : onsemi |
MOSFET Easy Drive 650V 65A 40 mOhm |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FCHD040N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FCHD040N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FCHD040N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 162.5A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FCHD040N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 162.5A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 162.5A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 35.4Ω/4mΩ Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |