FCHD190N65S3R0-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 397.2 грн |
| 30+ | 303.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCHD190N65S3R0-F155 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCHD190N65S3R0-F155 за ціною від 228.99 грн до 471.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCHD190N65S3R0-F155 | Виробник : onsemi |
MOSFET Easy Drive 650V 17A 190 mOhm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FCHD190N65S3R0-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FCHD190N65S3R0-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCHD190N65S3R0-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-247AD Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 17 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 144 Bauform - Transistor: TO-247AD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SUPERFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FCHD190N65S3R0-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |