Продукція > ONSEMI > FCP104N60F
FCP104N60F

FCP104N60F onsemi


fcp104n60f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+400.52 грн
50+ 305.62 грн
100+ 261.96 грн
500+ 218.52 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP104N60F onsemi

Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 37, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції FCP104N60F за ціною від 181.13 грн до 429.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCP104N60F FCP104N60F Виробник : ON Semiconductor 3655818461208310fcp104n60f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+403.84 грн
34+ 351.71 грн
50+ 350.85 грн
100+ 285.05 грн
250+ 263.38 грн
500+ 221.76 грн
Мінімальне замовлення: 29
FCP104N60F FCP104N60F Виробник : ON Semiconductor 3655818461208310fcp104n60f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+428.1 грн
10+ 375.87 грн
50+ 341.11 грн
100+ 282.8 грн
250+ 261.21 грн
500+ 215.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP104N60F FCP104N60F Виробник : onsemi / Fairchild FCP104N60F_D-2312209.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+429.64 грн
10+ 375.25 грн
50+ 224.42 грн
100+ 206.44 грн
500+ 201.11 грн
800+ 181.13 грн
FCP104N60F FCP104N60F Виробник : ON Semiconductor 3655818461208310fcp104n60f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FCP104N60F FCP104N60F Виробник : ONSEMI FCP104N60F-D.pdf Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FCP104N60F FCP104N60F Виробник : ONSEMI fcp104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCP104N60F FCP104N60F Виробник : ONSEMI fcp104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 357W
Polarisation: unipolar
товар відсутній