FCP104N60F onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 400.52 грн |
50+ | 305.62 грн |
100+ | 261.96 грн |
500+ | 218.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP104N60F onsemi
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 37, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FCP104N60F за ціною від 181.13 грн до 429.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCP104N60F | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP104N60F | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP104N60F | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP104N60F | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCP104N60F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 37 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCP104N60F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCP104N60F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |